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ONSEMI NTH4L020N120SC1
炭化ケイ素 MOSFET, EliteSiC, シングル, N チャネル, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- NTH4L020N120SC1
- ご注文 コード:
- 3464002
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- 製品 範囲
- EliteSiC Series
- 技術データシート:
- NTH4L020N120SC1 データシート
- ECAD / MCAD
-
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NTH4L020N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are UPS, DC-DC converter, boost inverter.
- 100% avalanche tested
- High speed switching with low capacitance (Coss = 258pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current is 102A at TC = 25°C
- Power dissipation is 255W at TC = 100°C
- Pulsed drain current is 408A at TA = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO-247-4LD package
製品情報
技術文書 (2)
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- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥5,114.60 (¥5,626.06) | ( ) |
| 5+ | ¥4,698.31 (¥5,168.14) | ( ) |
| 10+ | ¥4,283.13 (¥4,711.44) | ( ) |
| 50+ | ¥4,182.95 (¥4,601.25) | ( ) |
| 100+ | ¥4,082.77 (¥4,491.05) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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