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MUN5333DW1T1G
バイポーラ プリバイアス / デジタル トランジスタ, NPN および PNP 補足, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥34.52 (¥37.972) |
| 10+ | ¥20.39 (¥22.429) |
| 100+ | ¥12.5 (¥13.75) |
| 500+ | ¥10.85 (¥11.935) |
| 1000+ | ¥7.08 (¥7.788) |
| 5000+ | ¥6.94 (¥7.634) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥173 (¥190 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号MUN5333DW1T1G
注文コード2630310
技術データシート
トランジスタ極性NPN および PNP 補足
デジタルトランジスタ極性0
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）NPN50V
連続コレクタ電流 Ic0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）PNP50V
連続コレクタ電流100mA
ベース入力抵抗 R１4.7kohm
ベース エミッタ間抵抗 R２47kohm
抵抗比 R1 / R20
RFトランジスタ ケース0
トランジスタ ケース タイプSOT-363
ピン 数6 ピン
トランジスタ 取付表面実装
電力損失385mW
動作温度 最大値150°C
DC 電流利得 hFE 最小値80hFE
製品 範囲-
能力-
自動車用適合規格0
0
0
技術仕様
トランジスタ極性
NPN および PNP 補足
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
0
連続コレクタ電流 Ic
0
連続コレクタ電流
100mA
ベース エミッタ間抵抗 R２
47kohm
RFトランジスタ ケース
0
ピン 数
6 ピン
電力損失
385mW
DC 電流利得 hFE 最小値
80hFE
能力
-
0
デジタルトランジスタ極性
0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）NPN
50V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）PNP
50V
ベース入力抵抗 R１
4.7kohm
抵抗比 R1 / R2
0
トランジスタ ケース タイプ
SOT-363
トランジスタ 取付
表面実装
動作温度 最大値
150°C
製品 範囲
-
自動車用適合規格
0
0
MUN5333DW1T1G の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00004