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ONSEMI MJ11015G
ダーリントン トランジスタ, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 ピン
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- MJ11015G
- ご注文 コード:
- 9556575
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- 製品 範囲
- -
- 技術データシート:
- MJ11015G データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
- Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
- Collector current (Ic) of -30A
- Power dissipation of 200W
- Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
- Collector emitter breakdown Voltage of -120V
- Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current
製品情報
技術文書 (2)
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- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
- 250+
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥1,244.60 (¥1,369.06) |
| 5+ | ¥1,032.21 (¥1,135.43) |
| 10+ | ¥819.81 (¥901.79) |
| 50+ | ¥818.24 (¥900.06) |
| 100+ | ¥754.11 (¥829.52) |
| 250+ | ¥707.70 (¥778.47) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|
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