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ONSEMI HGT1S10N120BNST
IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 ピン
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- HGT1S10N120BNST
- ご注文 コード:
- 2454176
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- 技術データシート:
- HGT1S10N120BNST データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
- 140ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
注意事項
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製品情報
技術文書 (4)
梱包形態
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- 1+
- 10+
- 100+
- 500+
- 800+
- 1600+
- 2400+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥755.54 (¥831.09) | ( ) |
| 10+ | ¥663.06 (¥729.37) | ( ) |
| 100+ | ¥600.36 (¥660.40) | ( ) |
| 500+ | ¥537.66 (¥591.43) | ( ) |
| 800+ | ¥474.96 (¥522.46) | ( ) |
| 1600+ | ¥430.29 (¥473.32) | ( ) |
| 2400+ | ¥385.61 (¥424.17) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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