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| 5+ | ¥63.88 (¥70.268) |
| 10+ | ¥43.47 (¥47.817) |
| 100+ | ¥31.01 (¥34.111) |
| 500+ | ¥25.4 (¥27.94) |
| 1000+ | ¥23.38 (¥25.718) |
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¥319 (¥351 税込み)
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製品概要
FOD817CSD is a 4-pin DIP phototransistor optocoupler. It consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. It consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package. Typical applications include power supply regulators, digital logic inputs, and microprocessor inputs.
- AC input response (FOD814)
- Current transfer ratio in selected groups range from 50 to 600%
- Minimum BVCEO of 70V guaranteed
- Safety and Regulatory Approvals, UL1577, 5,000 VACRMS for 1 Minute, DIN EN/IEC60747-5-5
- Junction-to-Case Thermal Resistance is 210°C/W (TA = 25°C)
- Total Device Power Dissipation is 200mW (TA = 25°C)
- Continuous Forward Current is 50mA (TA = 25°C)
- Forward voltage is 1.2V (IF = 20mA, TA = 25°C)
- Collector-emitter saturation voltage is 0.1V (TA = 25°C, IF = 20mA, IC = 1mA)
- SMT 4-Pin package, operating temperature range from -55 to +110°C
技術仕様
チャネル数
1 チャネル
ピン 数
4ピン
絶縁 電圧
5kV
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
70V
0
フォトカプラ ケース スタイル
表面実装 DIP
順電流 If 最大値
50mA
CTR 最小
200%
製品 範囲
-
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000361