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製造終了
製品概要
The FDS5680 is a N-channel Logic Level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 30nC typical low gate charge
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
8A
トランジスタ ケース タイプ
SOIC
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
2.5W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.02ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.5V
ピン 数
8ピン
製品 範囲
-
0
関連製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000224