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ONSEMI FDN360P
パワーMOSFET, P チャネル, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SuperSOT, 表面実装
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- FDN360P
- ご注文 コード:
- 2438448
-
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- 技術データシート:
- FDN360P データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
The FDN360P is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
- High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
- Low gate charge typically 6.2nC
- Drain to source voltage (Vds) of -30V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
- Power dissipation (Pd) of 500mW
- Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
製品情報
技術文書 (2)
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- 3000+
- 9000+
- 24000+
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|---|
| 3000+ | ¥18.97 (¥20.87) |
| 9000+ | ¥17.87 (¥19.66) |
| 24000+ | ¥17.62 (¥19.38) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|
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3000 (カットテープ 9846336) x 30.41 = ¥91,230
合計金額: ¥91,230
(¥100,353 消費税込み)
3000 (リール 2438448) x 18.97 = ¥56,910
合計金額: ¥56,910
(¥62,601 消費税込み)
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