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ONSEMI FDMT80080DC
パワーMOSFET, N チャネル, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, 表面実装
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- FDMT80080DC
- ご注文 コード:
- 2825183
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- 技術データシート:
- FDMT80080DC データシート
製品範囲選択 (PowerTrench シリーズ)
この製品範囲のすべてを表示する製品概要
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 80V (min, ID = 250μA, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source leakage current is 100nA (max, VGS = ±20V, VDS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 3.1V (typ, VGS = VDS, ID = 250μA)
- Input capacitance is 14800pF (min, VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate resistance is 1.8ohm (typ, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 67ns (typ, VDD = 40V, ID = 36A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Dual Cool™ package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
製品情報
技術文書 (2)
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市場の状況により、納期は一般的な目安であり、都合により急遽変更される場合があります。
- 1+
- 10+
- 100+
- 500+
- 3000+
- 6000+
- 9000+
数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格(消費税込み) |
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1+ | ¥678.73 (¥746.60) | ( ) |
10+ | ¥500.04 (¥550.04) | ( ) |
100+ | ¥396.58 (¥436.24) | ( ) |
500+ | ¥395.73 (¥435.30) | ( ) |
3000+ | ¥394.87 (¥434.36) | ( ) |
6000+ | ¥394.02 (¥433.42) | ( ) |
9000+ | ¥393.16 (¥432.48) | ( ) |
数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格(消費税込み) |
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