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ONSEMI FDC637BNZ
パワーMOSFET, N チャネル, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, 表面実装
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- FDC637BNZ
- ご注文 コード:
- 2322581
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- 技術データシート:
- FDC637BNZ データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
The FDC637BNZ is a 2.5V specified N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages. It is suitable for use in DC-to-DC converter, load switching and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Manufactured using green packaging material
- Halide-free
- 2kV typical HBM ESD protection level
- 8nC typical low gate charge
製品情報
技術文書 (2)
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- 5+
- 10+
- 100+
- 500+
- 1000+
- 5000+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 5+ | ¥92.49 (¥101.74) | ( ) |
| 10+ | ¥58.94 (¥64.83) | ( ) |
| 100+ | ¥39.04 (¥42.94) | ( ) |
| 500+ | ¥30.10 (¥33.11) | ( ) |
| 1000+ | ¥25.29 (¥27.82) | ( ) |
| 5000+ | ¥20.48 (¥22.53) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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