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BC856BDW1T1G
バイポーラ トランジスタ アレイ, 汎用, デュアル PNP, 65 V, 100 mA
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号BC856BDW1T1G
注文コード2440799
製品ラインナップBCxxx シリーズ
技術データシート
トランジスタ極性デュアル PNP
コレクタ エミッタ間電圧（最大）NPN-
コレクタ エミッタ間電圧（最大）PNP65V
連続コレクタ電流 NPN-
連続コレクタ電流 PNP100mA
電力損失 NPN-
電力損失 PNP380mW
DC 電流利得 hFE 最小値 NPN-
DC 電流利得 hFE 最小値 PNP220hFE
トランジスタ ケース タイプSOT-363
ピン 数6ピン
トランジスタ 取付表面実装
動作温度 最大値150°C
トランジション周波数 NPN-
トランジション周波数 PNP100MHz
製品 範囲BCxxx シリーズ
能力-
0
0
製品概要
The BC856BDW1T1G is a PNP dual Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
技術仕様
トランジスタ極性
デュアル PNP
コレクタ エミッタ間電圧（最大）PNP
65V
連続コレクタ電流 PNP
100mA
電力損失 PNP
380mW
DC 電流利得 hFE 最小値 PNP
220hFE
ピン 数
6ピン
動作温度 最大値
150°C
トランジション周波数 PNP
100MHz
能力
-
0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）NPN
-
連続コレクタ電流 NPN
-
電力損失 NPN
-
DC 電流利得 hFE 最小値 NPN
-
トランジスタ ケース タイプ
SOT-363
トランジスタ 取付
表面実装
トランジション周波数 NPN
-
製品 範囲
BCxxx シリーズ
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001