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NXP MRFE6VP100HR5
RF FET トランジスタ, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
- 製造業者:
- NXP NXP
- メーカー 部品番号:
- MRFE6VP100HR5
- ご注文 コード:
- 2776256
-
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- 製品 範囲
- -
- 技術データシート:
- MRFE6VP100HR5 データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
MRFE6VP100HR5 is a RF power LDMOS transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using NXP enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- Wide operating frequency range
- Extremely rugged
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance and integrated ESD protection circuitry
- 400nAdc max gate source leakage current (VGS = 5Vdc, VDS = 0Vdc)
- 133VDC min drain source breakdown voltage (VGS = 0Vdc, ID = 50mA)
- 10μAdc max zero gate voltage drain leakage current (VDS = 100Vdc, VGS = 0Vdc)
- 27dB max power gain, 70% typ drain efficiency
- NI-780 transistor case style and 225°C max operating temperature
製品情報
技術文書 (3)
梱包形態
カット テープ
在庫修了
市場の状況により、納期は一般的な目安であり、都合により急遽変更される場合があります。
¥24,123.10
(¥26,535.41 消費税込み)
価格設定を利用できません。カスタマーサービスにお問い合わせしてください。
- 価格:
- 各（カットテープで提供）
Multiple: 1 最小: 1
- 1+
- 5+
- 10+
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥24,123.10 (¥26,535.41) |
| 5+ | ¥23,042.17 (¥25,346.39) |
| 10+ | ¥22,275.31 (¥24,502.84) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|
価格設定を利用できません。カスタマーサービスにお問い合わせしてください。
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