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NXP AFT20S015GNR1
RF FET トランジスタ, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
- 製造業者:
- NXP NXP
- メーカー 部品番号:
- AFT20S015GNR1
- ご注文 コード:
- 2890592
-
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- 製品 範囲
- AFT20S015GN
- 技術データシート:
- AFT20S015GNR1 データシート
- ECAD / MCAD
-
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この製品範囲のすべてを表示する製品概要
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
製品情報
技術文書 (2)
梱包形態
カット テープ
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¥3,889.10
(
¥4,278.01
消費税込み)
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- 価格:
- 各（カットテープで提供）
Multiple: 1 最小: 1
- 1+
- 10+
- 25+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥3,889.10 (¥4,278.01) | ( ) |
| 10+ | ¥3,587.45 (¥3,946.20) | ( ) |
| 25+ | ¥3,426.06 (¥3,768.67) | ( ) |
| 100+ | ¥3,171.16 (¥3,488.28) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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