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MICRON MTA4ATF51264HZ-3G2R1
RAM メモリ モジュール, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, 260ピン DDR4 SDRAM SO-DIMM, ノートPC用 SODIMM, 512M x 64ビット
- 製造業者:
- MICRON MICRON
- メーカー 部品番号:
- MTA4ATF51264HZ-3G2R1
- ご注文 コード:
- 3861323
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- 製品 範囲
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- 技術データシート:
- MTA4ATF51264HZ-3G2R1 データシート
- ECAD / MCAD
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製品情報
技術文書 (1)
製品概要
MTA4ATF51264HZ-3G2R1 is a high-speed DDR4 SDRAM module that uses a DDR4 SDRAM device with two or four internal memory bank groups. DDR4 SDRAM module utilize 4- and 8-bit-wide DDR4 SDRAM devices have four internal bank groups consisting of four memory banks each, providing a total of 16 banks. 16-bit-wide DDR4 SDRAM device has two internal bank groups consisting of four memory banks each, providing a total of eight banks. DDR4 SDRAM module benefits from the DDR4 SDRAM's use of an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single READ or WRITE operation for the DDR4 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins. DDR4 module uses two sets of differential signals: DQS_t and DQS_c to capture data and CK_t and CK_c to capture commands, addresses, and control signals.
- 4GB module density, 512 Meg x 64 configuration, 25.6GB/s module bandwidth
- 0.62ns/3200MT/s memory clock/data rate, 22-22-22 clock cycles (CL-tRCD-tRP)
- Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
- Low-power auto self refresh, data bus inversion for data bus, terminated control command/addr bus
- On-die VREFDQ generation and calibration, single-rank, fly-by topology
- On-board I²C serial presence-detect (SPD) EEPROM, 8 internal banks; 2 groups of 4 banks each
- Fixed burst chop of 4 and burst length of 8 via the mode register set (MRS), gold edge contacts
- 260-pin DIMM package
- Commercial operating temperature range from 0°C ≤ TOPER ≤ 95°C
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