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MICRON MT40A1G16TD-062E AIT:F
DRAM, AEC-Q100, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16ビット, 1.6 GHz, FBGA, 96 ピン
- 製造業者:
- MICRON MICRON
- メーカー 部品番号:
- MT40A1G16TD-062E AIT:F
- ご注文 コード:
- 3935596
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- 技術データシート:
- MT40A1G16TD-062E AIT:F データシート
- ECAD / MCAD
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製品概要
MT40A1G16TD-062E AIT:F is a DDR4 SDRAM. It is a high-speed dynamic random-access memory internally configured as an eight-bank DRAM for the x16 configuration and as a 16-bank DRAM for the x4 and x8 configurations. The DDR4 SDRAM uses an 8n-prefetch architecture to achieve high-speed operation. The 8n-prefetch architecture is combined with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single READ or WRITE operation for the DDR4 SDRAM consists of a single 8n-bit wide, four-clock data transfer at the internal DRAM core and two corresponding n-bit wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
- VDD = VDDQ = 1.2V±60mV, 1.2V pseudo open-drain I/O
- On-die, internal, adjustable VREFDQ generation, command/address (CA) parity
- 16 internal banks (x4, x8): 4 groups of 4 banks each, 8 internal banks (x16): 2 groups of 4 banks
- 8n-bit prefetch architecture, programmable data strobe preambles
- Data strobe preamble training, command/address latency, write levelling
- Multipurpose register READ and WRITE capability, self refresh mode, Per-DRAM addressability
- Low-power auto self refresh (LPASR), temperature controlled refresh (TCR)
- Fine granularity refresh, self refresh abort, maximum power saving, output driver calibration
- Nominal, park, and dynamic on-die termination (ODT), data bus inversion (DBI) for data bus
- Industrial operating temperature range from -40≤ TC≤ 95°C
製品情報
技術文書 (1)
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- 1+
- 10+
- 25+
- 50+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥3,037.82 (¥3,341.60) | ( ) |
| 10+ | ¥2,710.21 (¥2,981.23) | ( ) |
| 25+ | ¥2,493.90 (¥2,743.29) | ( ) |
| 50+ | ¥2,473.52 (¥2,720.87) | ( ) |
| 100+ | ¥2,453.14 (¥2,698.45) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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