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MICRON MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E

フラッシュメモリ , SLC NAND, 2 Gbit, 128M x 16ビット, パラレル, TSOP-I, 48 ピン

MICRON MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E

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製造業者:
MICRON MICRON
メーカー 部品番号:
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E
ご注文 コード:
4242659
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製品概要

MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E is a NAND flash device which includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfer commands, address, and data. There are five control signals used to implement the asynchronous data interface: CE#, CLE, ALE, WE#, and RE#. Additional signals control hardware write protection and monitor device status (R/B#). This hardware interface creates a low pin-count device with a standard pinout that remains the same from one density to another, enabling future upgrades to higher densities with no board redesign. A target is the unit of memory accessed by a chip enable signal. A target contains one or more NAND flash die. A NAND flash die is the minimum unit that can independently execute commands and report status. A NAND flash die, in the ONFI specification, is referred to as a logical unit (LUN).
  • 2Gb density, 16-bit device width
  • 3.3V (2.7 to 3.6V) operating voltage
  • Feature set E, Async interface
  • Single-level cell (SLC) technology, command set: ONFI NAND flash protocol
  • Operation completion, pass/fail condition, write-protect status
  • Program page cache mode, read page cache mode, one-time programmable (OTP) mode
  • Ready/busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
  • WP# signal: write protect entire device
  • Automotive industrial temperature from -40°C to +85°C
  • Package style is 48-pin TSOP

製品情報

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