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MICRON MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A

フラッシュメモリ , SLC NAND, 128 Gbit, 16G x 8ビット, パラレル, TSOP-I, 48 ピン

MICRON MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A

画像は説明用のイメージです。製品説明をご参照ください。

製造業者:
MICRON MICRON
メーカー 部品番号:
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A
ご注文 コード:
3577559
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製品 範囲
3.3V SLC NAND フラッシュ メモリ
ECAD / MCAD
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製品概要

MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A is an asynchronous NAND flash memory. It includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (DQx) to transfer commands, address, and data. There are five control signals used to implement the asynchronous data interface: CE#, CLE, ALE, WE#, and RE#. Additional signals control hardware write protection (WP#) and monitor device status (R/B#). This Micron NAND Flash device additionally includes a synchronous data interface for high-performance I/O operations. When the synchronous interface is active, WE# becomes CLK and RE# becomes W/R#. Data transfers include a bidirectional data strobe (DQS). This hardware interface creates a low pin-count device with a standard pinout that remains the same from one density to another, enabling future upgrades to higher densities with no board redesign.
  • 128Gb density, 8bits device width, 1bit cell level
  • 4 die, 2 # of CE#, 2 of R/B#, common I/O
  • Operating voltage range from VCC is 3.3V (2.7 to 3.6V), VCCQ is 3.3V (2.7t o 3.6V)
  • Polyimide process applied
  • Up to asynchronous timing mode 5, tRC/tWC is 20ns (MIN), read/write throughput per pin 50MT/s
  • Read page is 35µs (max), program page is 350µs (typ), erase block is 1.5ms (typ)
  • Command set: ONFI NAND flash protocol, advanced command set
  • Program cache, read cache sequential, read cache random
  • Copyback operations supported within the plane from which data is read
  • 48-pin TSOP package, industrial operating temperature range from -40°C to +85°C

注意事項

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製品情報

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:
SLC NAND

:
0

:
16G x 8ビット

:
パラレル

:
TSOP-I

:
48ピン

:
50MHz

:
-

:
2.7V

:
3.6V

:
3.3V

:
表面実装

:
-40°C

:
85°C

:
3.3V SLC NAND フラッシュ メモリ

:
0

:
MSL 3 - 168 hours
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