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IXYS SEMICONDUCTOR IXTN210P10T
MOSFET トランジスタ, P チャンネル, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
- メーカー 部品番号:
- IXTN210P10T
- ご注文 コード:
- 3438414
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- 製品 範囲
- TrenchP
- 技術データシート:
- IXTN210P10T データシート
- ECAD / MCAD
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この製品範囲のすべてを表示する製品概要
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
製品情報
技術文書 (2)
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- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥7,671.54 (¥8,438.69) | ( ) |
| 5+ | ¥7,279.63 (¥8,007.59) | ( ) |
| 10+ | ¥6,887.72 (¥7,576.49) | ( ) |
| 50+ | ¥6,495.81 (¥7,145.39) | ( ) |
| 100+ | ¥6,103.90 (¥6,714.29) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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