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IXYS SEMICONDUCTOR IXA60IF1200NA
IGBT モジュール, シングル, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B
- メーカー 部品番号:
- IXA60IF1200NA
- ご注文 コード:
- 1829727
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- 技術データシート:
- IXA60IF1200NA データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
The IXA60IF1200NA is a 1200V XPT IGBT with SONIC™ diode and Extreme-light Punch-Through (XPT™) thin wafer technology. Rugged XPT design results in short circuit rated for 10µsec, very low gate charge and low EMI. The thin wafer technology combined with the XPT design results in a competitive low VCE (sat). SONIC™ diode offers fast and soft reverse recovery as well low operating forward voltage.
- Easy to parallel due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage
- Reduced thermal resistance
- Low energy losses
- Fast switching
- Low tail current
- High power density
- Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to breakdown voltages
- Short circuit capability
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
製品情報
技術文書 (2)
73 在庫あり
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市場の状況により、納期は一般的な目安であり、都合により急遽変更される場合があります。
- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥6,650.00 (¥7,315.00) | ( ) |
| 5+ | ¥6,110.81 (¥6,721.89) | ( ) |
| 10+ | ¥5,571.62 (¥6,128.78) | ( ) |
| 50+ | ¥5,387.28 (¥5,926.01) | ( ) |
| 100+ | ¥5,199.87 (¥5,719.86) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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