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INFINEON IGT60R190D1SATMA1
窒化ガリウム (GaN) トランジスタ, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, 表面実装
- 製造業者:
- INFINEON INFINEON
- メーカー 部品番号:
- IGT60R190D1SATMA1
- ご注文 コード:
- 2981534
-
-
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- 別名:
- IGT60R190D1S, SP001701702
- 技術データシート:
- IGT60R190D1SATMA1 データシート
製品範囲選択 (CoolGaN)
この製品範囲のすべてを表示する製品概要
- Enhancement mode transistor – normally OFF switch, ultra-fast switching
- No reverse-recovery charge, capable of reverse conduction
- Low gate charge, low output charge, superior commutation ruggedness
- Qualified for industrial applications according to JEDEC standards (JESD47 and JESD22)
- Improves system efficiency, improves power density
- Enables higher operating frequency, system cost reduction savings, reduces EMI
- Drain source voltage (continuous) is 600V at VGS = 0V, Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 0.19ohm at IG = 9.6mA, ID = 5A, Tj = 25°C
- PG-HSOF-8-3 package
- Operating temperature range from -55 to 150°C
注意事項
製品情報
技術文書 (2)
別名
製造終了
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- 価格:
- 各(カットテープで提供)
- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
- 250+
数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格(消費税込み) |
---|---|---|
1+ | ¥1,867.44 (¥2,054.18) | ( ) |
5+ | ¥1,614.46 (¥1,775.91) | ( ) |
10+ | ¥1,361.48 (¥1,497.63) | ( ) |
50+ | ¥1,359.95 (¥1,495.95) | ( ) |
100+ | ¥1,241.14 (¥1,365.25) | ( ) |
250+ | ¥1,122.33 (¥1,234.56) | ( ) |
数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格(消費税込み) |
---|
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