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INFINEON 1EDN7511BXUSA1

MOSFET ドライバ, ローサイド, 4.5V ~ 20V 電源, 8A 出力, 19ns 遅延, SOT-23-6

INFINEON 1EDN7511BXUSA1

画像は説明用のイメージです。製品説明をご参照ください。

製造業者:
INFINEON INFINEON
メーカー 部品番号:
1EDN7511BXUSA1
ご注文 コード:
2986398
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製品 範囲
EiceDRIVER 1EDN
別名:
1EDN7511B, SP001891288
技術データシート:
1EDN7511BXUSA1   データシート
ECAD / MCAD
Supply Frame Models Link
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製品概要

1EDN7511BXUSA1 is an EiceDRIVER™ single-channel low-side gate driver IC. The pinout meets de-facto industry standards. This is made to drive logic and normal-level MOSFETs like OptiMOS™ and CoolMOS™, and GaN HEMT device. The application includes switch-mode power supplies (SMPS), power factor correction systems, DC-DC power converters, low-voltage drives and power tools, industrial power supply (SMPS, UPS), EV off-board chargers, solar micro-inverters, solar optimizers.
  • 4.2V/3.9V UVLO ON/OFF, separated source and sink output configuration
  • High level (sourcing) output current is 4.0A typ, low level (sinking) output current is -8.0A typ
  • Input to output propagation delay is 19ns typ (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
  • 5A reverse current robustness, -10V input voltage robustness
  • Qualified for industrial applications according to JEDEC
  • Supply voltage range from 4.5 to 20V (min defined by UVLO)
  • Input voltage robustness is -10V, 5A reverse current robustness
  • VDD quiescent current is 0.4mA typ (OUT=high, VVDD= 12V, VVDD= 12V, TJ=25°C)
  • Rise time is 6.5ns typ (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V), fall time is 4.5ns typ (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
  • PG-SOT23-6 package, junction temperature range from -40 to 150°C

製品情報

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:
1チャネル

:
非絶縁

:
ローサイド

:
GaN HEMT, IGBT, MOSFET

:
6ピン

:
SOT-23

:
表面実装

:
反転, 非反転

:
4A

:
8A

:
4.5V

:
20V

:
-40°C

:
150°C

:
19ns

:
19ns

:
EiceDRIVER 1EDN

:
-

:
0

:
MSL 3 - 168 hours
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技術文書 (1)

別名

1EDN7511B, SP001891288
梱包形態 カット テープ

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Multiple: 1 最小: 1
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1000+ ¥51.58 (¥56.74)
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2500+ ¥50.96 (¥56.06)
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