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ANALOG DEVICES HMC1114PM5E

RF アンプ, 2.7 GHz ～ 3.8 GHz, 28 V 電源, LFCSP-EP-32, -40 °C ～ 85 °C

ANALOG DEVICES HMC1114PM5E

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メーカー 部品番号:
HMC1114PM5E
ご注文 コード:
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HMC1114PM5E   データシート
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2.7GHz

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3.8GHz

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35dB

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-

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LFCSP-EP

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32ピン

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-

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28V

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-40°C

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85°C

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-

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0

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MSL 3 - 168 hours
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技術文書 (1)

製品概要

HMC1114PM5E is a gallium nitride (GaN), broadband power amplifier delivering 10W (up to 42dBm) typical with up to 55% power added efficiency (PAE) across an instantaneous bandwidth range of 2.7GHz to 3.8GHz, at an input power (PIN) of 18dBm. The gain flatness is 1 dB typical at small signal levels. The HMC1114PM5E is ideal for pulsed or continuous wave (CW) applications, such as wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification. The application includes extended battery operation for public mobile radios, power amplifier stage for wireless infrastructures, test and measurement equipment, commercial and military radars, general-purpose transmitter amplification.
  • Frequency range from 2.7 to 3.2GHz (TA = 25°C, VDD = 28V)
  • Small signal gain is 34.5dB (typ, TA = 25°C, VDD = 28V, 2.7GHz to 3.2GHz)
  • Gain flatness is 0.8dB (typ, TA = 25°C, VDD = 28V, 2.7GHz to 3.2GHz)
  • Return loss is 12dB (input), 7.5dB (output) (typ, TA = 25°C, VDD = 28V, 2.7GHz to 3.2GHz)
  • Noise figure is 5.5dB ((typ, TA = 25°C, VDD = 28V, 2.7GHz to 3.2GHz)
  • Output power is 42dBm (typ, PIN = 16dBm, TA = 25°C, VDD = 28V, 2.7GHz to 3.2GHz)
  • Power gain is 25.5dB (typ, PIN = 16dBm, TA = 25°C, VDD = 28V, 2.7GHz to 3.2GHz)
  • Power added efficiency is 47.5% (typ, PIN = 16dBm, TA = 25°C, VDD = 28V, 2.7GHz to 3.2GHz)
  • Supply voltage range from 24 to 32V (TA = 25°C, VDD = 28V, 2.7GHz to 3.2GHz)
  • 32 lead LFCSP-CAV package, operating temperature range from -40°C to +85°C

Footnotes

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