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ALLIANCE MEMORY AS4C256M16D3C-12BIN

DRAM, DDR3, 4 Gbit, 256M x 16ビット, 800 MHz, FBGA, 96 ピン

ALLIANCE MEMORY AS4C256M16D3C-12BIN

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メーカー 部品番号:
AS4C256M16D3C-12BIN
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4260977
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製品概要

AS4C256M16D3C-12BIN is a 256M x 16bit DDR3 synchronous DRAM (SDRAM). The 4Gb double-data-rate-3 DRAM is a double data rate architecture to achieve high-speed operation. It is internally configured as an eight-bank DRAM. The 4Gb chip is organized as 32Mbit x 16I/Os x 8 bank devices. This synchronous device achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all DDR3 DRAM key features and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source-synchronous fashion.
  • JEDEC standard compliant, supports JEDEC clock jitter specification
  • Fully synchronous operation, differential clock, CK and CK#
  • Bidirectional differential data strobe, DQS and DQS#
  • 8 internal banks for concurrent operation, 8n-bit prefetch architecture
  • Pipelined internal architecture, precharge and active power down
  • Programmable mode and extended mode registers, additive latency (AL): 0, CL-1, CL-2
  • Programmable Burst lengths: 4, 8, burst type: sequential / interleave
  • Output driver impedance control, write levelling, ZQ calibration, auto refresh and self refresh
  • Dynamic ODT (Rtt-Nom and Rtt-WR), 800MHz maximum clock
  • 96-ball FBGA package, industrial temperature range from -40°C to 95°C

製品情報

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:
DDR3

:
0

:
256M x 16ビット

:
800MHz

:
FBGA

:
96ピン

:
1.5V

:
表面実装

:
-40°C

:
95°C

:
-

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