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NXP MRFE6VP61K25HR6
RF FET トランジスタ, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
- 製造業者:
- NXP NXP
- メーカー 部品番号:
- MRFE6VP61K25HR6
- ご注文 コード:
- 2776247
-
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- 製品 範囲
- -
- 技術データシート:
- MRFE6VP61K25HR6 データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
MRFE6VP61K25HR6 is a wideband RF power LDMOS transistor in a 4 pin NI-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.
- Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large signal impedance parameters
製品情報
技術文書 (3)
梱包形態
カット テープ
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¥38,690.61
(
¥42,559.67
消費税込み)
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- 価格:
- 各（カットテープで提供）
Multiple: 1 最小: 1
- 1+
- 5+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥38,690.61 (¥42,559.67) | ( ) |
| 5+ | ¥32,387.69 (¥35,626.46) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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