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NXP MRF1K50NR5
RF FET トランジスタ, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230
- 製造業者:
- NXP NXP
- メーカー 部品番号:
- MRF1K50NR5
- ご注文 コード:
- 2890602
-
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- 製品 範囲
- MRF1K50N
- 技術データシート:
- MRF1K50NR5 データシート
- ECAD / MCAD
-
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この製品範囲のすべてを表示する製品概要
MRF1K50NR5 is a high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET RF power LDMOS transistor. This is a high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub-GHz aerospace and mobile radio applications. Typical application includes laser generation, plasma etching, particle accelerators, MRI and other medical applications, industrial heating, welding and drying systems (industrial, scientific, medical), radio broadcast, VHF TV broadcast (broadcast), VHF omnidirectional range (VOR), HF and VHF communications, weather radar (aerospace), VHF and UHF base stations (mobile radio).
- High drain-source avalanche energy absorption capability
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single-ended or in a push-pull configuration
- Characterized from 30 to 50V for ease of use
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate source voltage for improved Class C operation
- 1μAdc maximum gate source leakage current (VGS = 5Vdc, VDS = 0Vdc)
- 133Vdc maximum drain source breakdown voltage (VGS = 0Vdc, ID = 100mAdc)
- 2.2Vdc typical gate threshold voltage (VDS = 10Vdc, ID = 2130μAdc)
- OM-1230-4L package, operating junction temperature range from -40 to +225°C
製品情報
技術文書 (2)
梱包形態
カット テープ
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41 当社 UK 倉庫から 3-4 営業日以内に配達
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¥29,050.48
(¥31,955.53 消費税込み)
価格設定を利用できません。カスタマーサービスにお問い合わせしてください。
- 価格:
- 各（カットテープで提供）
Multiple: 1 最小: 1
- 1+
- 5+
- 10+
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥29,050.48 (¥31,955.53) |
| 5+ | ¥27,971.26 (¥30,768.39) |
| 10+ | ¥27,438.09 (¥30,181.90) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|
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