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MICRON MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 ピン
- 製造業者:
- MICRON MICRON
- メーカー 部品番号:
- MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
- ご注文 コード:
- 3954471
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- 製品 範囲
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- 技術データシート:
- MT53E512M32D1ZW-046 IT:B データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
製品情報
技術文書 (1)
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- 1+
- 10+
- 25+
- 50+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥2,365.88 (¥2,602.47) |
| 10+ | ¥2,193.12 (¥2,412.43) |
| 25+ | ¥2,124.24 (¥2,336.66) |
| 50+ | ¥2,089.08 (¥2,297.99) |
| 100+ | ¥2,038.72 (¥2,242.59) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
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