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ALLIANCE MEMORY AS4C512M16D3LB-12BCN
DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16ビット, 800 MHz, FBGA, 96 ピン
- メーカー 部品番号:
- AS4C512M16D3LB-12BCN
- ご注文 コード:
- 4260984
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- 製品 範囲
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- 技術データシート:
- AS4C512M16D3LB-12BCN データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
AS4C512M16D3LB-12BCN is a 512M x 16bit DDR3L synchronous DRAM (SDRAM). The 8Gb double-data-rate-3L DRAM is double data rate architecture to achieve high-speed operation. It is internally configured as an eight bank DRAM. The 8Gb chip is organized as 64Mbit x 16I/Os x 8 bank devices. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3L DRAM key features and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pair in a source synchronous fashion.
- JEDEC standard compliant, supports JEDEC clock jitter specification
- Power supplies: VDD and VDDQ = +1.35V, backward compatible to VDD and VDDQ =+1.5V ±0.075V
- Fully synchronous operation, fast clock rate: 800MHz
- Differential clock, CK and CK#, bidirectional differential data strobe, DQS and DQS#
- 8 internal banks for concurrent operation, 8n-bit prefetch architecture
- Pipelined internal architecture, precharge and active power down
- Programmable mode and extended mode registers, additive latency (AL): 0, CL-1, CL-2
- Programmable burst lengths: 4, 8, burst type: sequential/interleave, output driver impedance control
- Write levelling, ZQ calibration, dynamic ODT (Rtt-Nom and Rtt-WR)
- 96-ball FBGA package, commercial temperature range from 0°C to 95°C
製品情報
技術文書 (1)
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- 1+
- 5+
- 10+
- 25+
- 50+
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥4,241.83 (¥4,666.01) |
| 5+ | ¥4,081.23 (¥4,489.35) |
| 10+ | ¥3,920.62 (¥4,312.68) |
| 25+ | ¥3,764.51 (¥4,140.96) |
| 50+ | ¥3,149.31 (¥3,464.24) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) |
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