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SCTW60N120G2
炭化ケイ素 MOSFET, シングル, N チャネル, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥2,863.15 (¥3,149.465) |
| 5+ | ¥2,796.42 (¥3,076.062) |
| 10+ | ¥2,729.68 (¥3,002.648) |
| 50+ | ¥2,662.95 (¥2,929.245) |
| 100+ | ¥2,596.21 (¥2,855.831) |
| 250+ | ¥2,529.47 (¥2,782.417) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥2,863 (¥3,149 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
MOSFET モジュール 構成
シングル
連続ドレイン電流 Id
60A
ドレインソース オン状態 抵抗
0.035ohm
ピン 数
3ピン
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3V
動作温度 最大値
200°C
0
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
HiP247
Rds(on) テスト 電圧
18V
電力損失
389W
製品 範囲
-
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.009299