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2N7002-G
パワーMOSFET, N チャネル, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥103.71 (¥114.081) |
| 25+ | ¥87.51 (¥96.261) |
| 100+ | ¥79.41 (¥87.351) |
| 3000+ | ¥77.83 (¥85.613) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥104 (¥114 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
115mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
360mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
7.5ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.5V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000002