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STD7N65M2
パワーMOSFET, N チャネル, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), 表面実装
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製品概要
The STD7N65M2 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology which has strip layout and improved vertical structure, the device exhibits low ON-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
- 100% Avalanche tested
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
5A
トランジスタ ケース タイプ
TO-252 (DPAK)
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
60W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
650V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.98ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00068