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LY62W102516LL-55LLI
SRAM, 非同期 SRAM, LPSRAM, 16 Mbit, 1M x 16ビット, TSOP-I, 48 ピン, 2.7 V
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
在庫切れ
製品情報
メーカーLYONTEK
メーカー部品番号LY62W102516LL-55LLI
注文コード2253668
技術データシート
SRAM タイプ非同期 SRAM, LPSRAM
メモリ 密度16Mbit
メモリ構成1M x 16ビット
IC ケース/ パッケージTSOP-I
ピン 数48ピン
供給電圧 最小値2.7V
供給電圧 最大値5.5V
供給電圧 標準値3V
クロック 周波数 最大値-
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲-
0
0
製品概要
The LY62W102516LL-55LLI is a 16777216-bit low power CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized as 1048576 words by 16-bit. It is fabricated using very high performance, high reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. The LY62W102516 is well designed for low power application and particularly well suited for battery back-up nonvolatile memory application. The LY62W102516 operates from a single power supply of 2.7 to 5.5V and all inputs and outputs are fully TTL compatible.
- Fast access time - 55ns
- Low power consumption
- Fully static operation
- Tri-state output
- Data retention voltage - 1.5V minimum
技術仕様
SRAM タイプ
非同期 SRAM, LPSRAM
メモリ構成
1M x 16ビット
ピン 数
48ピン
供給電圧 最大値
5.5V
クロック 周波数 最大値
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
メモリ 密度
16Mbit
IC ケース/ パッケージ
TSOP-I
供給電圧 最小値
2.7V
供給電圧 標準値
3V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Taiwan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Taiwan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.015014