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BSS138LT3G
パワーMOSFET, N チャネル, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥44.25 (¥48.675) |
| 10+ | ¥27.34 (¥30.074) |
| 100+ | ¥17.07 (¥18.777) |
| 500+ | ¥9.96 (¥10.956) |
| 1000+ | ¥8.54 (¥9.394) |
| 5000+ | ¥8.38 (¥9.218) |
価格：それぞれ
最小: 5
複数: 5
¥221 (¥243 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
The BSS138LT3G is a N-channel Power MOSFET with low threshold voltage and ideal for low voltage applications. Miniature surface mount package saves board space.
- ±20VDC Continuous gate-to-source voltage
- 556°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
200mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
2.75V
電力損失
225mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
50V
ドレインソース オン状態 抵抗
3.5ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
500mV
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
BSS138LT3G の代替製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000006