STのバランは、モノリシックRF IPDプロセスを使用して、高品質なRF受動部品を単一のガラス基板上に統合しています。STのRF IPDバランは、高いRF統合を最適化し、システム性能を向上させます。これにより、RFICからアンテナへのマッチングネットワークが簡素化され、統合された高調波フィルターによって、CCC、FCC、ETSI、ARIBなどの主要なEMC規制への適合が支援されます。

RFフロントエンドフィルターは、バンドパスフィルター、ローパスフィルター、ハイパスフィルターなど、さまざまな機能に対応します。STの薄膜RF IPDプロセスを使用することで、RFフィルターをフロントエンドモジュールに簡単に統合できます。このプロセスでは、高品質な受動RF部品を単一のガラスまたは高抵抗シリコン基板に統合します。

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