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ONSEMI HGTG11N120CND
IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 ピン
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- HGTG11N120CND
- ご注文 コード:
- 1611490
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- 技術データシート:
- HGTG11N120CND データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
The HGTG11N120CND is a 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This NPT series is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 340ns at TJ = 150°C Fall time
製品情報
技術文書 (2)
1,787 在庫あり
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450は25/01/31にさらに多く入手可能
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市場の状況により、納期は一般的な目安であり、都合により急遽変更される場合があります。
- 1+
- 10+
- 100+
- 500+
- 1000+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥822.94 (¥905.23) | ( ) |
| 10+ | ¥518.85 (¥570.74) | ( ) |
| 100+ | ¥438.90 (¥482.79) | ( ) |
| 500+ | ¥430.13 (¥473.14) | ( ) |
| 1000+ | ¥421.92 (¥464.11) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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