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INFINEON S70GL02GS12FHIV10
フラッシュメモリ , MirrorBit, パラレル NOR, 2 Gbit, 256M x 8ビット / 128M x 16ビット, CFI, パラレル, FBGA, 64 ピン
- 製造業者:
- INFINEON INFINEON
- メーカー 部品番号:
- S70GL02GS12FHIV10
- ご注文 コード:
- 3018587
-
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- 製品 範囲
- 3V パラレル NOR フラッシュ メモリ
- 別名:
- SP005671039, S70GL02GS12FHIV10
- 技術データシート:
- S70GL02GS12FHIV10 データシート
- ECAD / MCAD
-
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S70GL02GS12FHIV10 is a GL-T MIRRORBIT™ flash memory device is fabricated on 65-nm MIRRORBIT™ process technology. This device offers a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time of 110ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard single byte/word programming algorithms. This makes the device an ideal product for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)
- 16-word/32-byte page read buffer
- Programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Uniform 128-KB sectors, two thousand forty-eight sectors
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- Separate 1024byte one time program (OTP) array with two lockable regions
- 100,000 erase cycles per sector typical, 20-year data retention typical
- 64pin FBGA, industrial temperature range from -40°C to +85°C
製品情報
技術文書 (1)
別名
SP005671039, S70GL02GS12FHIV10
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- 1+
- 5+
- 10+
- 25+
- 50+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥3,574.85 (¥3,932.34) | ( ) |
| 5+ | ¥3,452.11 (¥3,797.32) | ( ) |
| 10+ | ¥3,329.37 (¥3,662.31) | ( ) |
| 25+ | ¥3,292.70 (¥3,621.97) | ( ) |
| 50+ | ¥3,190.78 (¥3,509.86) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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