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ANALOG DEVICES HMC739LP4E

発振器, 電圧制御, 高周波数 出力, 23.8 GHz ～ 26.8 GHz, SMD, 4mm x 4mm, 5 V

ANALOG DEVICES HMC739LP4E

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メーカー 部品番号:
HMC739LP4E
ご注文 コード:
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HMC739LP4E   データシート
ECAD / MCAD
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技術文書 (1)

製品概要

HMC739LP4E is a GaAs InGaP heterojunction bipolar transistor (HBT) MMIC VCO. The HMC739LP4(E) integrates a resonator, negative resistance device, varactor diode and divide-by-16 prescaler. The VCO’s phase noise performance is excellent over temperature, shock, and process due to the oscillator’s monolithic structure. Typical application includes point-to-point radios, point-to-multi-point radios / LMDS, VSAT.
  • No external resonator needed
  • Frequency range from 23.8 to 26.8GHz (Fo, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
  • Power output is 3dBm (min, RF OUT, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
  • SSB phase noise at 100KHz offset, Vtune= +5V at RF output is -93dBc/Hz (typ, TA = +25°C)
  • Tune voltage range from 1 to 13V (TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
  • Supply current is 200mA (typ, Icc (RF), Icc (DIG), TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
  • Tune port leakage current (Vtune= 13V) is 10µA (max, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
  • Output return loss is 3dB (typ, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
  • Frequency drift rate is 4MHz/°C (typ, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
  • 24 lead SMD package, operating temperature range from -40 to +85°C

Footnotes

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